Inhalt
[ IEMPCUEHLBE ] UE Halbleiterbauelemente
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| Workload |
Ausbildungslevel |
Studienfachbereich |
VerantwortlicheR |
Semesterstunden |
Anbietende Uni |
| 1,5 ECTS |
M1 - Master 1. Jahr |
Physik |
Friedrich Schäffler |
1 SSt |
Johannes Kepler Universität Linz |
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| Detailinformationen |
| Quellcurriculum |
Masterstudium Informationselektronik 2012W |
| Ziele |
Vermittlung der physikalischen Grundlagen der gängigen Halbleiterbauelemente anhand von vorlesungsbegleitenden Übungen
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| Lehrinhalte |
Übungsbeispiele synchronisiert mit der Vorlesung Halbleiterbauelemente zu folgenden Themen:
Minoritätsträgerbauelemente:
- p/n-Übergang
- (Hetero-)Bipolartransistor
Majoritätsträgerbauelemente:
- Schottky-Diode
- JFET und HEMT
- MOSFET, CMOSFET
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| Beurteilungskriterien |
kombiniert
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| Lehrmethoden |
ausgegebene Übungsbeispiele werden von den Studenten so vorbereitet, daß sie sie im Kurs vorrechnen können
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| Abhaltungssprache |
Deutsch |
| Literatur |
- S. M. Sze, Semiconductor Devices: Physics and Technology, John Wiley and Sons 2001
- S. M. Sze, Kwok K. Ng, Physics of Semiconductor Devices, John Wiley and Sons 2006
- S. M. Sze, Modern Semiconductor Devices, John Wiley and Sons 1997
- R. Sauer, Halbleiterphysik: Lehrbuch für Physiker und Ingenieure, Oldenbourg 2009
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| Lehrinhalte wechselnd? |
Nein |
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| Präsenzlehrveranstaltung |
| Teilungsziffer |
30 |
| Zuteilungsverfahren |
Zuteilung nach Reihenfolge |
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