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[ IEMPCUEHLBE ] UE Semiconductor devices
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| (*) Unfortunately this information is not available in english. |
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| Workload |
Education level |
Study areas |
Responsible person |
Hours per week |
Coordinating university |
| 1,5 ECTS |
M1 - Master's programme 1. year |
Physics |
Friedrich Schäffler |
1 hpw |
Johannes Kepler University Linz |
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| Detailed information |
| Original study plan |
Master's programme Information Electronics 2012W |
| Objectives |
(*)Vermittlung der physikalischen Grundlagen der gängigen Halbleiterbauelemente anhand von vorlesungsbegleitenden Übungen
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| Subject |
(*)Übungsbeispiele synchronisiert mit der Vorlesung Halbleiterbauelemente zu folgenden Themen:
Minoritätsträgerbauelemente:
- p/n-Übergang
- (Hetero-)Bipolartransistor
Majoritätsträgerbauelemente:
- Schottky-Diode
- JFET und HEMT
- MOSFET, CMOSFET
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| Criteria for evaluation |
(*)kombiniert
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| Methods |
(*)ausgegebene Übungsbeispiele werden von den Studenten so vorbereitet, daß sie sie im Kurs vorrechnen können
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| Language |
German |
| Study material |
- S. M. Sze, Semiconductor Devices: Physics and Technology, John Wiley and Sons 2001
- S. M. Sze, Kwok K. Ng, Physics of Semiconductor Devices, John Wiley and Sons 2006
- S. M. Sze, Modern Semiconductor Devices, John Wiley and Sons 1997
- R. Sauer, Halbleiterphysik: Lehrbuch für Physiker und Ingenieure, Oldenbourg 2009
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| Changing subject? |
No |
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| On-site course |
| Maximum number of participants |
30 |
| Assignment procedure |
Assignment according to sequence |
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