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| Detailinformationen |
| Quellcurriculum |
Bachelorstudium Informatik 2025W |
| Lernergebnisse |
Kompetenzen |
| Die Studierenden können selbstständig einfache elektrische Netzwerke bestehend aus Spannungsquellen, Stromquellen, Widerständen, Kondensatoren, Dioden und Transistoren (MOSFET) berechnen. Sie wissen, wie digitale Gatter aus MOSFET aufgebaut sind. Sie können verschiedene Speichertechnologien wie SRAM, DRAM und FLASH auf Transistorebene beschreiben und kennen die jeweiligen Vor- und Nachteile.
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| Fertigkeiten |
Kenntnisse |
Studierende können:
- Die physikalischen Größen Ladung, Strom und Spannung in einfachen Rechnungen verwenden (K3)
- Elektrische Stromkreise bestehend aus Quellen und passiven Elementen mittels der ohmschen und kirchhoffschen Gesetze berechnen (K3)
- Die nichtlinearen Bauelemente Diode und Transistor in Schaltungen verwenden (K3)
- Logische Gatter aus MOSFET realisieren (K3)
- Speicher (SRAM, DRAM, FLASH) auf Transistorebene darstellen und die jeweiligen Vor- und Nachteile benennen (K5)
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- Der elektrische Strom (ohmsches Gesetz, Ladung, Strom, Spannung)
- Elektrischer Stromkreis (Quellen, kirchhoffsche Gesetze)
- Widerstand, Kondensator
- Diode und Transistor (MOSFET)
- Realisierung von digitalen Gattern mittels MOSFET
- Speicher (SRAM, DRAM, FLASH)
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| Beurteilungskriterien |
Schriftliche und/oder mündliche Prüfung mit Klausur am Semesterende.
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| Lehrmethoden |
Folienvortrag mit Beispielen an der Tafel.
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| Abhaltungssprache |
Deutsch |
| Literatur |
Unterlagen werden per Download zur Verfügung gestellt.
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| Lehrinhalte wechselnd? |
Nein |
| Sonstige Informationen |
Diese Vorlesung bildet mit der dazugehörigen Übung eine untrennbare didaktische Einheit. Die hier dargestellten Lernergebnisse werden im Zusammenwirken der beiden Lehrveranstaltungen erreicht.
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| Äquivalenzen |
INBPEVOTIN2: VO Technische Informatik 2 (3 ECTS)
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