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| Detailed information |
| Original study plan |
Bachelor's programme Technical Physics 2009W |
| Objectives |
(*)Vermittlung der physikalischen Grundlagen der gängigen Halbleiterbauelemente
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| Subject |
(*)- Zusammenfassung der wichtigsten Halbleiter-Eigenschaften
Minoritätsträgerbauelemente:
- p/n-Übergang
- (Hetero-)Bipolartransistor
Beschreibung im Drift/Diffusionsmodel, Ersatzschaltbilder, Kleinsignal- und Hochfrequenzverhalten
Majoritätsträgerbauelemente:
- Schottky-Diode
- JFET und HEMT
- MOSFET, CMOSFET
Kennlinien, Ersatzschaltbilder
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| Criteria for evaluation |
(*)mündliche Prüfung
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| Methods |
(*)Tafelanschrieb, Overhead/Powerpoint-Folien
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| Language |
German or English |
| Study material |
(*)- S. M. Sze, Semiconductor Devices: Physics and Technology, John Wiley and Sons 2001
- S. M. Sze, Kwok K. Ng, Physics of Semiconductor Devices, John Wiley and Sons 2006
- S. M. Sze, Modern Semiconductor Devices, John Wiley and Sons 1997
- R. Sauer, Halbleiterphysik: Lehrbuch für Physiker und Ingenieure, Oldenbourg 2009
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| Changing subject? |
No |
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