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| Detailinformationen |
| Quellcurriculum |
Masterstudium Technische Physik 2013W |
| Ziele |
Vermittlung der physikalischen Grundlagen der gängigen Halbleiterbauelemente
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| Lehrinhalte |
- Zusammenfassung der wichtigsten Halbleiter-Eigenschaften
Minoritätsträgerbauelemente:
- p/n-Übergang
- (Hetero-)Bipolartransistor
Beschreibung im Drift/Diffusionsmodel, Ersatzschaltbilder, Kleinsignal- und Hochfrequenzverhalten
Majoritätsträgerbauelemente:
- Schottky-Diode
- JFET und HEMT
- MOSFET, CMOSFET
Kennlinien, Ersatzschaltbilder
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| Beurteilungskriterien |
mündliche Prüfung
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| Lehrmethoden |
Tafelanschrieb, Overhead/Powerpoint-Folien
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| Abhaltungssprache |
Deutsch oder Englisch |
| Literatur |
- S. M. Sze, Semiconductor Devices: Physics and Technology, John Wiley and Sons 2001
- S. M. Sze, Kwok K. Ng, Physics of Semiconductor Devices, John Wiley and Sons 2006
- S. M. Sze, Modern Semiconductor Devices, John Wiley and Sons 1997
- R. Sauer, Halbleiterphysik: Lehrbuch für Physiker und Ingenieure, Oldenbourg 2009
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| Lehrinhalte wechselnd? |
Nein |
| Äquivalenzen |
TPMWAVOHLBE: VO Halbleiterbauelemente (3 ECTS)
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