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[ 461WEPHHLBV13 ] VL Halbleiterbauelemente

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Workload Ausbildungslevel Studienfachbereich VerantwortlicheR Semesterstunden Anbietende Uni
3 ECTS M1 - Master 1. Jahr Physik Friedrich Schäffler 2 SSt Johannes Kepler Universität Linz
Detailinformationen
Quellcurriculum Masterstudium Technische Physik 2013W
Ziele Vermittlung der physikalischen Grundlagen der gängigen Halbleiterbauelemente

Lehrinhalte
  • Zusammenfassung der wichtigsten Halbleiter-Eigenschaften

Minoritätsträgerbauelemente:

  • p/n-Übergang
  • (Hetero-)Bipolartransistor

Beschreibung im Drift/Diffusionsmodel, Ersatzschaltbilder, Kleinsignal- und Hochfrequenzverhalten
Majoritätsträgerbauelemente:

  • Schottky-Diode
  • JFET und HEMT
  • MOSFET, CMOSFET

Kennlinien, Ersatzschaltbilder

Beurteilungskriterien mündliche Prüfung
Lehrmethoden Tafelanschrieb, Overhead/Powerpoint-Folien

Abhaltungssprache Deutsch oder Englisch
Literatur
  • S. M. Sze, Semiconductor Devices: Physics and Technology, John Wiley and Sons 2001
  • S. M. Sze, Kwok K. Ng, Physics of Semiconductor Devices, John Wiley and Sons 2006
  • S. M. Sze, Modern Semiconductor Devices, John Wiley and Sons 1997
  • R. Sauer, Halbleiterphysik: Lehrbuch für Physiker und Ingenieure, Oldenbourg 2009
Lehrinhalte wechselnd? Nein
Äquivalenzen TPMWAVOHLBE: VO Halbleiterbauelemente (3 ECTS)
Präsenzlehrveranstaltung
Teilungsziffer -
Zuteilungsverfahren Direktzuteilung