| Detailinformationen | 
                    
                                
                    
                      | Quellcurriculum | 
                      Masterstudium Nanoscience and -Technology 2019W | 
                    
                      
                    
                      | Ziele | 
                      Vermittlung von grundlegenden Kenntnissen über die wichtigsten "top-down" Verfahren zur Herstellung von Nanostrukturen, mit dem Schwerpunkt auf die Herstellungsverfahren für Halbleiterbauelemente und Mikrochips (Halbleitertechnologie). 
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                      | Lehrinhalte | 
                      „Top-down" Nanofabrikationsmethoden. Themen: VLSI Technologie, MOSFET Transistor, Halbleiterwafer, Dotierung und Diffusion, Photolithographie, Strukturtransfer durch chemische und Plasma-Ätzverfahren, Oxidation, Implantation, Abscheidung von Schichten,  Anwendung für Herstellung von integrierten Schaltungen.
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                      | Beurteilungskriterien | 
                      Mündliche Prüfung, Termine nach Vereinbarung.
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                      | Lehrmethoden | 
                      Vorlesung
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                      | Abhaltungssprache | 
                      Deutsch oder Englisch | 
                    
                      
                    
                      | Literatur | 
                      Skriptum kann im KUSSS heruntergeladen werden. 
Zusätzliche Literatur wird in der Vorlesung bekanntgegeben. 
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                      | Lehrinhalte wechselnd? | 
                      Nein | 
                    
                                        
                      | Sonstige Informationen | 
                      Grundlegende Vorlesung für Master- und Doktoraststudierende die sich für Nano- und Materialwissenschaften interessieren.
Begleitend zur Vorlesung kann ein Praktikum mit praktischen Versuchen absolviert werden (siehe Praktikum Nanofabrication II).
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                      | Äquivalenzen | 
                      TPMPNVONAF2: VO Nanofabrikation II (3 ECTS) bzw. TPMWNVOHLTE: VO Halbleitertechnologie (3 ECTS)
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